課程描述INTRODUCTION
電子元器件可靠性設(shè)計培訓(xùn)
培訓(xùn)講師：李少平
課程價格：￥元/人
培訓(xùn)天數(shù)：2天
日程安排SCHEDULE
課程大綱Syllabus
廣州電子元器件可靠性培訓(xùn)
課程介紹
為了滿足廣大元器件生產(chǎn)企業(yè)對產(chǎn)品質(zhì)量及可靠性方面的要求，決定分期組織召開“電子元器件失效分析技術(shù)及經(jīng)典案例”高級研修班。此次培訓(xùn)將由具有豐富工程實踐經(jīng)驗的老師主講，通過講解大量失效分析案例，使學(xué)員更深入的了解電子元器件的失效機(jī)理和失效分析方法。具體事宜通知如下：
課程大綱：
課程大綱根據(jù)報名學(xué)員要求，上課時會有所調(diào)整。
第一講 失效分析概論
1.基本概念
2.失效分析的定義和作用
3.失效模式
4.失效機(jī)理
5.一些標(biāo)準(zhǔn)對失效分析的要求
6.標(biāo)準(zhǔn)和資料
第二講 失效分析技術(shù)和設(shè)備
1. 失效分析基本程序
a.基本方法與程序
b.失效信息調(diào)查與方案設(shè)計
c.非破壞性分析的基本路徑
d.半破壞性分析的基本路徑
e.破壞性分析的基本路徑
f.報告編制
2. 非破壞性分析的基本路徑
a.外觀檢查
b.電參數(shù)測試分析與模擬應(yīng)力試驗
c.檢漏與PINDd.X光與掃描聲學(xué)分析
3. 半破壞性分析的基本路徑
a.開封技術(shù)與可動微粒收集
b.內(nèi)部氣氛檢測（與前項有沖突）
c.不加電的內(nèi)部檢查（光學(xué)。SEM與EDS.微區(qū)成分）
d.加電的內(nèi)部檢查（微探針。紅外熱像。EMMI光發(fā)射。電壓襯度像。束感生電流像。電子束探針）。
4. 破壞性分析的基本路徑
a.去除鈍化層技術(shù)（濕法。干法）
b.剖切面技術(shù)及分析（切片）
5. 分析技術(shù)與分析設(shè)備清單
第三講 失效分析典型案例
1. 系統(tǒng)設(shè)計缺陷引起的失效
2. CMOS IC 閂鎖效應(yīng)失效
3. 靜電損傷失效
4. 過電損傷失效
5. 熱應(yīng)力失效
6. 機(jī)械應(yīng)力損傷失效
7. 電腐蝕失效
8. 污染失效
9. 熱結(jié)構(gòu)缺陷引起過熱失效
10.其他缺陷引起的失效
11.壽命失效
專家介紹：李少平
我國電子產(chǎn)品失效分析領(lǐng)域權(quán)威專家。24年來一直從事電子產(chǎn)品可靠性技術(shù)研究工作，曾經(jīng)主持參加眾多軍用電子元器件研究課題，多次獲得各級科研成果獎項，先后參與《失效分析經(jīng)典案例100例》和《電子元器件失效技術(shù)》的編寫。曾為：華為、中興集團(tuán)、海爾集團(tuán)、美的集團(tuán)、廈華、飛通、廣東核電等上百家企業(yè)進(jìn)行內(nèi)訓(xùn)及公開授課，學(xué)員累計數(shù)千人。
轉(zhuǎn)載：http://www.nywlwx.com/gkk_detail/11152.html